MINARC Members

Permanent members

Invited professors

 

Ph.D Students

  • Milovan Blagojevic, Architectural and circuit techniques for ultra-wide voltage range in 28/22 nm FDSOI. Partners: BWRC USA and STMicroelectronics France
  • Chen Chen, E-health System for Traditional Chinese Medicine Assistance and Evaluation. Partner: UPMC, France.
  • Dajana Danilovic, Analog-RF design of digitally-enhanced RFFE in 28/22 nm at reduced Vdd. Partners: BWRC USA and STMicroelectronics, France
  • Navneet Gupta, Ultra Low Power Tunnel FET based Circuits. Partner: CEA-LETI, France.
  • Nuraishah Sarimin, Reconfigurability of UWB transceiver architectures for ultra-low power wearable biomedical Body area networks.
  • Khaja A. Shaik, Ultra low power variation-resilient SRAM sense amplifier. Partner: DAIICT Gandhinagar, India

Alumni

  • Hraziia, Design and simulation of Non -Volatile MRAMs. Partner:CEA-LETI
  • Leïla Kamoun, Agile microwave band-reject filters. Partner: Thales Airborne Systems
  • Adam Makosiej,Design of SRAM usingUT2B-FDSOI. Partner: CEA-LETI
  • Giorgio Palma, Process optimisation and design of non-volatile memories. Partner: CEA-LETI
  • Bertrand Pelloux-Prayer, 20 nm FDSOI design for SoCs. Partner: STMicroelectronics.
  • Islam Seudi, Multi-electrode system design and optimisation for cardiac implants.
  • Jean-Philippe Noel, Optimisation de dispositifs FDSOI pour la gestion de la consommation et de la vitesse : applications aux mémoires et fonctions logiques.
  • Ashutosh Ghildiyal, Wireless Systems for Biomedical Applications: Low power reconfigurable MAC protocols for MICS and heterogenous Body area Networks; Validation of UWB as radio interface.
  • Tarun Chawla, Etude de l’impact des variations du procédé de fabrication sur les circuits numériques.
  • M. Ichihashi, Architecture and Design of a Distributed Power Management Circuit for Complex Power Aware SoCs.
  • Bertrand Gerfaul, Nouveau concept d’amplificateur large bande avec optimisation du contrôle de la puissance de sortie et commutateur Emission/Réception sans inductance.
  • Perrine Batude, Integration a trois dimensions sequentielle: Etude, fabrication et caracterisation.
  • Bastien Giraud, Apports et limitations des dispositifs multi-grilles sub-45n m pour la conception des mémoires SRAM.
  • A. Valentian, Etude de  la technologie soi partiellement-désertée à très basse tension pour minimiser l’énergie dissipée et application a des operateurs de calcul.
  • Olivier Thomas, Etude de la faisabilité de circuits mémoire SRAM ultra basse tension en technologie soi partiellement-désertée.